BSS123-7-F和VP2110K1-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS123-7-F VP2110K1-G BSS169 E6906

描述 三极管晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -100 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 VTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Microchip (微芯) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 170 mA - 90.0 mA

耗散功率 300 mW 360 mW 360mW (Ta)

输入电容 60 pF - 68.0 pF

栅电荷 - - 2.80 nC

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 170 mA 0.12A 90.0 mA

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds) 68pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300 mW 360mW (Ta) 360mW (Ta)

额定功率 0.3 W 0.36 W -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 6 Ω 9 Ω -

极性 N-Channel P-CH -

阈值电压 1.4 V - -

漏源击穿电压 100 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 8 ns 5 ns -

额定功率(Max) 300 mW 360 mW -

下降时间 8 ns 4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 1 mm 0.95 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

重量 0.0001279130568 kg - -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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