PEMD3,115和PEMD3,315

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PEMD3,115 PEMD3,315 NSBC114YPDXV6T1G

描述 NXP  PEMD3,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 230 MHz, 300 mW, 100 mA, 30 hFESOT-666 NPN+PNP 50V 100mAON SEMICONDUCTOR  NSBC114YPDXV6T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-563

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-666-6 SS-Mini-6 SOT-563-6

极性 NPN, PNP NPN+PNP NPN, PNP

耗散功率 300 mW 300 mW 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 500 mW

针脚数 6 - -

直流电流增益(hFE) 30 - -

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 100 mA

高度 0.6 mm 0.6 mm -

封装 SOT-666-6 SS-Mini-6 SOT-563-6

长度 1.7 mm - -

宽度 1.3 mm - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

香港进出口证 NLR - -

ECCN代码 - - EAR99

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