MMBT2222ALT1和MMBT2222ALT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2222ALT1 MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT1G

描述 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN SiliconON SEMICONDUCTOR  MMBT2222ALT3G  双极性晶体管, NPN, 40V SOT-23, 整卷ON SEMICONDUCTOR  MMBT2222ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 600 mA 600 mA 600 mA

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 0.3 W 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW 300 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) - 100 300

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

额定功率 - - 225 mW

增益频宽积 - - 300 MHz

长度 - 3.04 mm 2.9 mm

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

高度 - 1.01 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - NLR

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