对比图
型号 FDS9412 NDS9410A STS11NF30L
描述 单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 7.90 A 7.30 A 11.0 A
额定功率 - - 2.5 W
漏源极电阻 0.022 Ω 28.0 mΩ 0.0085 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta) 2.5 W
阈值电压 1.6 V - 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±18.0 V
连续漏极电流(Ids) 7.90 A 7.30 A 11.0 A
上升时间 10.0 ns - 39 ns
输入电容(Ciss) 830pF @15V(Vds) 830pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 1 W 2.5 W
下降时间 - - 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2500 mW
输入电容 830 pF - -
栅电荷 14.0 nC - -
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -