BSD223P和BSD223PL6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSD223P BSD223PL6327

描述 的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor20V,-0.39A,P沟道功率MOSFET

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-363-6 VSSOP-6

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

输入电容(Ciss) 56pF @15V(Vds) 56pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 250 mW 250 mW

额定电压(DC) -20.0 V -

额定电流 -350 mA -

连续漏极电流(Ids) 390 mA -

上升时间 5.00 ns -

封装 SOT-363-6 VSSOP-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台