IRF9952TRPBF和MMDF2C03HDR2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9952TRPBF MMDF2C03HDR2G IRF9952TR

描述 INFINEON  IRF9952TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1 V2A,30V,SO-8,N/P沟道功率双MOSFETSOIC N+P 30V 3.5A/2.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 2.00 A -

通道数 2 2 -

漏源极电阻 0.08 Ω 70 mΩ -

极性 N-Channel, P-Channel Dual N-Channel, Dual P-Channel N+P

耗散功率 2 W 2 W -

输入电容 190 pF 630 pF -

栅电荷 - 16.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.5A/2.3A 4.10 A 3.5A/2.3A

输入电容(Ciss) 190pF @15V(Vds) 630pF @24V(Vds) 190pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 2 W -

额定功率 2 W - -

针脚数 8 - -

阈值电压 1 V - -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台