IRF1404STRLPBF和STB200NF04T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1404STRLPBF STB200NF04T4 STB120N4LF6

描述 Trans MOSFET N-CH 40V 162A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STB120N4LF6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 3100 µohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 3.70 mΩ 0.0031 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 310000 mW 110 W

阈值电压 - - 1 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 162 A 120 A 80A

上升时间 140 ns 320 ns 95 ns

输入电容(Ciss) 7360pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 310 W 110 W

下降时间 - 120 ns 45 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 310000 mW 110W (Tc)

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -

额定电流 162 A 120 A -

漏源击穿电压 - 40.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

产品系列 IRF1404S - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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