BC858B-TP和BC858BLT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858B-TP BC858BLT3G BC858BLT1G

描述 SOT-23 PNP 30V 0.1APNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管ON SEMICONDUCTOR  BC858BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) - -30.0 V -30.0 V

额定电流 - -100 mA -100 mA

针脚数 - - 3

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 - 0.3 W 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 220 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 300 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) - - 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 310 mW 300 mW 300 mW

增益频宽积 - 100 MHz -

长度 - 2.9 mm 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm 1.3 mm

高度 - 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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