IRFP4232PBF和STW52NK25Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP4232PBF STW52NK25Z IRFP4332PBF

描述 N沟道,250V,60A,35.7mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STW52NK25Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 VTrans MOSFET N-CH 250V 57A 3Pin(3+Tab) TO-247AC

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 250 V 250 V 250 V

额定电流 60.0 A 52.0 A 57.0 A

通道数 - - 1

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 430 W 300 W 360 W

产品系列 IRFP4232 - IRFP4332

输入电容 - - 5.86 nF

栅电荷 - - 150 nC

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 26.0 A 57.0 A

输入电容(Ciss) 7290pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds) 5860pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 430 W 300 W 360 W

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.033 Ω -

阈值电压 - 3.75 V -

漏源击穿电压 - 250 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

上升时间 - 75 ns -

下降时间 - 55 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 430 W 300000 mW -

额定功率 430 W - -

宽度 - 5.15 mm 5.31 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm -

高度 - 20.15 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 - - NLR

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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