对比图
型号 STD2HNK60Z-1 STW20NK50Z STD15NF10T4
描述 STMICROELECTRONICS STD2HNK60Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-251-3 TO-247-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 500 V 100 V
额定电流 - 17.0 A 23.0 A
额定功率 - 190 W -
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 4.4 Ω 0.23 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 190 W 70 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V 3 V
输入电容 - 2600 pF -
漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 100 V
漏源击穿电压 - 500 V 100 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.00 A 17.0 A 23.0 A
上升时间 30 ns 20 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 280pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 45 W 190 W 70 W
下降时间 50 ns 15 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 190W (Tc) 70W (Tc)
长度 - 15.75 mm 6.6 mm
宽度 - 5.15 mm 6.2 mm
高度 - 20.15 mm 2.4 mm
封装 TO-251-3 TO-247-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99