对比图
型号 FDS6576 TPS1100DR NTMS10P02R2G
描述 PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSON SEMICONDUCTOR NTMS10P02R2G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 10A, SOIC
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V
额定电流 -11.0 A - -10.0 A
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.014 Ω - 0.014 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 0.791 W 2.5 W
输入电容 4.04 nF - -
栅电荷 43.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 20 V 15 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V - -
栅源击穿电压 ±12.0 V - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 1.6A 10.0 A, 10.0 mA
上升时间 17 ns 10 ns -
输入电容(Ciss) 4044pF @10V(Vds) - 3640pF @16V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 791 mW 1.6 W
下降时间 79 ns 2 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 791mW (Ta) 1.6W (Ta)
阈值电压 - - 880 mV
通道数 - 1 -
长度 5 mm 4.9 mm 5 mm
宽度 4 mm 3.91 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.75 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99