FQPF19N20和RFP12N10L

对比图

型号 FQPF19N20 RFP12N10L FQPF19N20T

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF19N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.8 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFP12N10L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 100 V, 200 mohm, 5 V, 2 VN沟道 100V 11.8A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 200 V 100 V 100 V

额定电流 19.4 A 12.0 A 19.0 A

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 150 mΩ 200 mΩ 150 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 60 W 50W (Tc)

阈值电压 5 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 200 V 100 V 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±10.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 11.8 A 12.0 A 11.8 A

上升时间 190 ns 70 ns -

输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 900pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 50 W 60 W -

下降时间 80 ns 80 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 50W (Tc) 60000 mW 50W (Tc)

额定功率 - 60 W -

长度 10.36 mm 10.67 mm -

宽度 4.9 mm 4.83 mm -

高度 16.07 mm 9.4 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -