对比图
型号 MMDF3N02HDR2G NTMD4N03R2G FDS9926A
描述 3A,20V,SO-8,N沟道功率双MOSFETN 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9926A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -20.0 V 30.0 V 20.0 V
额定电流 -3.80 A 4.00 A 6.50 A
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 90.0 mΩ 0.048 Ω 0.025 Ω
极性 N-Channel N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 2W (Ta) 2 W 2 W
阈值电压 - 1.9 V 1 V
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V 30.0 V 20 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±10.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 4.00 A, 4.00 mA 6.50 A
上升时间 - 14 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 630pF @16V(Vds) 400pF @20V(Vds) 650pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 2 W 900 mW
下降时间 - 10 ns 4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2W (Ta) 2 W 2000 mW
通道数 - - 2
输入电容 630 pF - 650 pF
栅电荷 18.0 nC - 6.20 nC
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR