BSC042N03LSG和BSC059N03SG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC042N03LSG BSC059N03SG BSC057N03LSGATMA1

描述 30V,93A,N沟道功率MOSFETOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-TransistorInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC057N03LSGATMA1, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TDSON-8 TDSON-8 PG-TDSON-8

引脚数 8 - 8

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 17.5 A -

输入电容 - 2.67 nF 1800 pF

栅电荷 - 21.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 73.0 A 17A

输入电容(Ciss) 3500pF @15V(Vds) 2670pF @15V(Vds) 1800pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 57 W 48 W -

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 2.5 W - 45 W

上升时间 4.4 ns - 3.6 ns

下降时间 4 ns - 3.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW - 2.5W (Ta), 45W (Tc)

额定功率 - - 45 W

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.0048 Ω

阈值电压 - - 1 V

封装 TDSON-8 TDSON-8 PG-TDSON-8

长度 - - 5.49 mm

宽度 - - 5.49 mm

高度 - - 1.1 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

香港进出口证 NLR - -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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