对比图
型号 2N7002,215 FDN359BN BST82,215
描述 Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。NXP BST82,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Nexperia (安世) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
通道数 - 1 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 2.8 Ω 0.046 Ω 5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 0.83 W 500 mW 830 mW
阈值电压 2 V 1.8 V 2 V
漏源极电压(Vds) 60 V 30 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 300 mA 2.70 mA 190 mA
输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) 650pF @15V(Vds) 40pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 830 mW 460 mW 830 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 830 mW 500mW (Ta) 830mW (Tc)
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 2.70 A -
输入电容 31 pF 650 pF -
栅电荷 - 7.00 nC -
漏源击穿电压 - 30 V -
上升时间 - 5 ns -
下降时间 - 5 ns -
正向电压(Max) 1.2 V - -
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 3 mm 2.92 mm -
高度 1 mm 0.94 mm -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -