对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR BD159G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE 新STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) 350 V 300 V 350 V
额定电流 500 mA 500 mA 500 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 20 W 20.8 W 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 300 V 350 V
集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V 30
最大电流放大倍数(hFE) - - 240
额定功率(Max) 20 W 20.8 W 20 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
针脚数 3 3 -
直流电流增益(hFE) 30 240 -
耗散功率(Max) 20000 mW 2800 mW -
长度 - 7.8 mm 7.74 mm
宽度 - 2.7 mm 2.66 mm
高度 - 10.8 mm 11.04 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bulk Tube Bulk
最小包装 - - 500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -