对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9400A 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.4 A, -30 V, 0.105 ohm, -10 V, -1.8 VP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 -
漏源极电阻 0.105 Ω 0.045 Ω
耗散功率 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 12.5 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 205pF @15V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 2.5 W
下降时间 2 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V
额定电流 -3.40 A -5.00 A
极性 P-Channel P-Channel
输入电容 205 pF -
栅电荷 2.40 nC -
栅源击穿电压 ±25.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.40 A 5.00 A
阈值电压 - 1.6 V
漏源击穿电压 - 30.0 V
长度 4.9 mm 5 mm
宽度 3.9 mm 4 mm
高度 1.575 mm 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 -