IRF8707PBF和SI4894BDY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF8707PBF SI4894BDY-T1-GE3 FDS6690A

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF8707PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 11A, SOIC 新VISHAY  SI4894BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 12AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6690A  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0119 Ω 0.016 Ω 12.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 1.4 W 2.5 W

产品系列 IRF8707 - -

阈值电压 1.8 V 3 V 1.9 V

输入电容 760pF @15V - 1.21 nF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 12.0 A 11.0 A

输入电容(Ciss) 760pF @15V(Vds) - 1205pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 11.0 A

栅电荷 - - 12.0 nC

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

上升时间 - - 5.00 ns

耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta)

长度 5 mm - 5 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

宽度 - - 4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台