对比图
型号 MGSF1N02LT1G SI2306BDS-T1-E3 MGSF1N02LT1
描述 ON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 VN通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFETON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 85 mohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) VISHAY (威世) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V
额定电流 750 mA - 750 mA
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.075 Ω 0.038 Ω 90 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 400 mW 1.25 W 400 mW
阈值电压 1.7 V 3 V 1.7 V
输入电容 125 pF - -
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V - 20 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 750 mA 3.16 A 750 mA
上升时间 1 ns 12 ns 1 ns
输入电容(Ciss) 125pF @5V(Vds) 305pF @15V(Vds) 125pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 400 mW 750 mW -
下降时间 8 ns 6 ns 1 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 400mW (Ta) 1250 mW 400mW (Ta)
长度 3.04 mm 3.04 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.3 mm
高度 1.01 mm 1.02 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2018/01/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99