AUIRFR3504Z和SUD50N04-8M8P-4GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFR3504Z SUD50N04-8M8P-4GE3 IRFR3504ZPBF

描述 INFINEON  AUIRFR3504Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 8230 µohm, 10 V, 2 VVISHAY  SUD50N04-8M8P-4GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 6.9 mohm, 10 V, 1.5 VDPAK N-CH 40V 77A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 2 3 -

漏源极电阻 0.00823 Ω 0.0069 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 90 W 48.1 W -

阈值电压 2 V 1.5 V -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

上升时间 74 ns 15 ns 74 ns

输入电容(Ciss) 1510pF @25V(Vds) 2400pF @20V(Vds) 1510pF @25V(Vds)

下降时间 38 ns 15 ns 38 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 90W (Tc) 48.1 W 90000 mW

额定功率 90 W - -

连续漏极电流(Ids) 77A - 77A

通道数 - - 1

长度 6.5 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.3 mm 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

材质 Silicon - Silicon

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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