对比图
型号 CSD17578Q3A RQ3E180BNTB CSD17578Q3AT
描述 CSD17578Q3A 30 V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8Pin HSMT EP T/RN 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSONP-8 PowerVDFN-8 VSONP-8
漏源极电阻 - - 0.0063 Ω
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 2.5 W 2 W 37 W
阈值电压 - - 1.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V
连续漏极电流(Ids) 20A - 20A
上升时间 6 ns - 6 ns
输入电容(Ciss) 1590pF @15V(Vds) 3500pF @15V(Vds) 1150pF @15V(Vds)
下降时间 1 ns - 1 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 37W (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) 3.2W (Ta), 37W (Tc)
长度 3.15 mm - 3.5 mm
宽度 3 mm - 3.5 mm
高度 0.9 mm - 0.9 mm
封装 VSONP-8 PowerVDFN-8 VSONP-8
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15