对比图
型号 SI1012CR-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3
描述 VISHAY SI1012CR-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mVVISHAY SI1012R-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.41 ohm, 4.5 V, 900 mV
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SC-75 SC-75-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.33 Ω 0.41 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 240 mW 150 mW
阈值电压 400 mV 900 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) - 600 mA
上升时间 16 ns 5 ns
下降时间 11 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.24 W 150 mW
输入电容(Ciss) 43pF @10V(Vds) -
长度 1.68 mm 1.575 mm
宽度 0.86 mm 0.76 mm
高度 0.8 mm 0.7 mm
封装 SC-75 SC-75-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Unknown -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99