SI1012CR-T1-GE3和SI1012R-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI1012CR-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3

描述 VISHAY  SI1012CR-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mVVISHAY  SI1012R-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.41 ohm, 4.5 V, 900 mV

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SC-75 SC-75-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.33 Ω 0.41 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 240 mW 150 mW

阈值电压 400 mV 900 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) - 600 mA

上升时间 16 ns 5 ns

下降时间 11 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.24 W 150 mW

输入电容(Ciss) 43pF @10V(Vds) -

长度 1.68 mm 1.575 mm

宽度 0.86 mm 0.76 mm

高度 0.8 mm 0.7 mm

封装 SC-75 SC-75-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Unknown -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99

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