对比图
型号 STF30N65M5 STF31N65M5 STFI31N65M5
描述 N沟道650 V， 0.125 I© ， 22 A， MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET D²PAK ， TO- 220FP ， I²PAK ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh⢠V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247650V,22A,N沟道MOSFETN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 30 W 30 W 30 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 22A 22A -
输入电容(Ciss) 2880pF @100V(Vds) 816pF @100V(Vds) 1865pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 30 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 30W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 124 mΩ
阈值电压 - - 4 V
漏源击穿电压 - - 650 V
上升时间 8 ns - 8 ns
下降时间 10 ns - 8.5 ns
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 16.4 mm 10.85 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -