KSH3055TM和MJD3055T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH3055TM MJD3055T4 MJD3055

描述 Trans GP BJT NPN 60V 10A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS  MJD3055T4  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 20 W, 10 A, 5 hFE互补功率晶体管DPAK对于表面贴装应用 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 2 MHz 2 MHz -

额定电压(DC) -60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 -10.0 A 10.0 A 10.0 A

极性 NPN NPN N-Channel

耗散功率 1.75 W 20 W 20 W

集电极击穿电压 70.0 V 70.0 V -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 10A - 10A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20

最大电流放大倍数(hFE) 100 100 100

额定功率(Max) 1.75 W 20 W 1.75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 20000 mW 1750 mW

增益频宽积 - 2 MHz 2 MHz

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 5 -

高度 2.3 mm 2.4 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm 6.73 mm

宽度 - 6.2 mm 6.22 mm

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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