2N7002W和2N7002W-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002W 2N7002W-7-F 2N7002WT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002W  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V2N7002W-7-F 编带ON SEMICONDUCTOR  2N7002WT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 340mA, SC-70, 整卷

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SC-70-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 2.53 Ω 13.5 Ω 1.6 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 mW 200 mW 330 mW

阈值电压 1.76 V 2 V 1 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 24.5pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 280 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200mW (Ta) 200 mW 280 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 - 1 1

连续漏极电流(Ids) - 115 mA 340 mA

上升时间 - - 9 ns

下降时间 - - 29 ns

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 115 mA -

漏源击穿电压 - 70 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 2 mm 2.2 mm 2.2 mm

宽度 1.25 mm 1.35 mm 1.35 mm

高度 1 mm 1 mm 0.9 mm

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SC-70-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

军工级 - Yes -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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