CSD17304Q3和CSD17308Q3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17304Q3 CSD17308Q3 CSD17313Q2

描述 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 6

封装 TDFN-8 VSON-Clip-8 WSON-FET-6

通道数 - 1 1

针脚数 8 8 6

漏源极电阻 0.0059 Ω 0.0094 Ω 0.024 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.7 W 2.7 W 2.3 W

阈值电压 1.3 V 1.3 V 1.3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 50A 5.00 A

上升时间 9.1 ns 5.7 ns 3.9 ns

输入电容(Ciss) 955pF @15V(Vds) 700pF @15V(Vds) 340pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.7 W 2.7 W 2.3 W

下降时间 3.1 ns 2.3 ns 1.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.7W (Ta) 2.7W (Ta) 2.3W (Ta)

长度 - 3.4 mm 2 mm

宽度 - 3.4 mm 2 mm

高度 - 1.1 mm 0.8 mm

封装 TDFN-8 VSON-Clip-8 WSON-FET-6

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

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