对比图
型号 SIHB15N60E-GE3 STB16N65M5 STB20NM60D
描述 E-系列 N沟道 600 V 180 W 0.28 Ω 78 nC 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAKN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTB20NM60D系列 N沟道 600 V 0.26 Ohm FDmesh™ 功率MOSFET - D2PAK-3
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.23 Ω 0.23 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 180 W 90 W 192 W
阈值电压 2 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 15A 12A -
上升时间 77 ns 7 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 1350pF @100V(Vds) 1250pF @100V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 180 W 90 W 192 W
下降时间 66 ns 8 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 180 W 90W (Tc) 192W (Tc)
长度 10.67 mm 10.75 mm -
宽度 9.65 mm 10.4 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -