对比图
型号 FDD068AN03L STD6N95K5 STD3NK60ZT4
描述 N沟道的PowerTrench ？ MOSFET 30V ， 35A ， 6.8mз N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 35A, 6.8mзSTMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 30.0 V - 600 V
额定电流 35.0 A - 2.40 A
漏源极电阻 5.70 mΩ 1 Ω 3.3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 80 W 90 W 45 W
输入电容 2.52 nF 450 pF -
栅电荷 46.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 950 V 600 V
漏源击穿电压 30.0 V - 600 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 9A 2.40 A
上升时间 171 ns 12 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 2525pF @15V(Vds) 450pF @100V(Vds) 311pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 80 W 90 W 45 W
下降时间 61 ns 21 ns 14 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 80W (Tc) 90W (Tc) 45W (Tc)
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 3.75 V
长度 6.73 mm - 6.6 mm
宽度 6.22 mm - 6.2 mm
高度 2.39 mm - 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99