FDS6690A和STS11NF30L

对比图

型号 FDS6690A STS11NF30L STS11N3LLH5

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6690A  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 VN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 12.5 mΩ 0.0085 Ω 0.0117 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.7 W

阈值电压 1.9 V 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 1205pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 724pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.7 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2.7W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 11.0 A 11.0 A -

输入电容 1.21 nF - -

栅电荷 12.0 nC - -

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±18.0 V -

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A -

上升时间 5.00 ns 39 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 - 2.5 W -

下降时间 - 16 ns -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.25 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -