FQD1N50和FQD1N50TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD1N50 FQD1N50TF FQD1N50TM

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 500V 1.1A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN沟道 500V 1.1A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 500 V 500 V

额定电流 - 1.10 A 1.10 A

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 9 Ω 9.00 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.1A 1.10 A 1.10 A

上升时间 - 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) - 150pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds)

下降时间 - 20 ns 20 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)

额定功率(Max) - - 2.5 W

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.39 mm 2.39 mm

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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