STV160NF02LT4和STV300NH02L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STV160NF02LT4 STV300NH02L STV160NF03LAT4

描述 N沟道20V - 0.0016Î © - 160A PowerSO - 10 STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-CHANNEL 20V - 0.0016Ω - 160A PowerSO-10 STripFET™ II POWER MOSFETN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN-CH 30V 160A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 10 -

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10

针脚数 - 10 -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 210W (Tc) 300 W 210W (Tc)

阈值电压 - 1.5 V -

输入电容 - 7055 pF -

漏源极电压(Vds) 20 V 24 V 30 V

上升时间 800 ns 275 ns -

输入电容(Ciss) 4800pF @15V(Vds) 7055pF @15V(Vds) 5350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 210 W 300 W -

下降时间 - 94.4 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 210W (Tc) 300W (Tc) 210W (Tc)

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 160 A - -

漏源极电阻 1.60 mΩ - 2.10 mΩ

漏源击穿电压 20.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V - ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 160 A - 160 A

长度 - 9.6 mm -

宽度 - 9.5 mm -

高度 - 3.75 mm -

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10

工作温度 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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