对比图
描述 60V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS CSD18540Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 0.0018 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 3.1 W 195 W
阈值电压 1.5 V 1.9 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
上升时间 9 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 4230pF @30V(Vds) 4230pF @30V(Vds)
下降时间 3 ns 3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
通道数 1 -
连续漏极电流(Ids) 100A -
长度 - 6 mm
宽度 5 mm 5 mm
高度 - 1 mm
封装 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8
材质 Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC
香港进出口证 NLR -