IRFR220NPBF和STD7NS20T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR220NPBF STD7NS20T4 IRFR220NTRPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR220NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 5A, D-PAKS 新STMICROELECTRONICS  STD7NS20T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IRFR220NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - - 43 W

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 600 mΩ 0.35 Ω 0.6 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 43 W 45 W 43 W

阈值电压 4 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 7.00 A 5A

上升时间 11.0 ns 15 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 540pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 43 W 45 W 43 W

下降时间 - 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 45W (Tc) 43W (Tc)

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 5.00 A 7.00 A -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

产品系列 IRFR220N - -

长度 - 6.6 mm 6.5 mm

宽度 - 6.2 mm 6.22 mm

高度 - 2.4 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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