对比图
型号 BFU668F,115 BFU660F,115 BFG424F,115
描述 晶体管晶体管 双极-射频, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, 90 hFENXP BFG424F,115 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 135 mW, 30 mA, 80 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343
针脚数 4 4 3
耗散功率 200 mW 225 mW 135 mW
输入电容 0.664 pF 0.664 pF 475 pF
直流电流增益(hFE) 135 90 80
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 200 mW 225 mW 135 mW
频率 - 21000 MHz -
极性 - NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) - 5.5 V 4.5 V
增益 - 12dB ~ 21dB 23 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 90 @10mA, 2V 50 @25mA, 2V
额定功率(Max) - 225 mW 135 mW
封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 NLR - -