BSP206和ZVN4206GVTA

对比图

型号 BSP206 ZVN4206GVTA BSP205TRL

描述 BSP206 P沟道MOS场效应管 -60V -359mA 6ohm SOT-223 marking/标记 高速开关 无二次击穿ZVN4206G 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET SOT-223TRANSISTOR 0.25 A, 50 V, 10 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 1.00 A -

漏源极电阻 - 1 Ω -

极性 P-CH N-Channel -

耗散功率 - 2 W -

阈值电压 - 1.3 V -

输入电容 - 20.0 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 0.35A 1.00 A -

上升时间 - 12 ns -

输入电容(Ciss) - 100pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2 W -

下降时间 - 15 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -