SI2307CDS-T1-GE3和SSM3J306T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2307CDS-T1-GE3 SSM3J306T RSR025P03TL

描述 TRANSISTOR 3500mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3Pin, FET General Purpose Small SignalSSM3J306T P沟道MOS场效应管 -30V -2.4A 225MΩ SOT-23 marking/标记 JJ9 电源管理开关 高速开关 4V驱动 低导通电阻RSR025P03TL 编带

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Toshiba (东芝) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

耗散功率 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) - 1 W

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

输入电容(Ciss) 340pF @15V(Vds) - 460pF @10V(Vds)

耗散功率(Max) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) - 1W (Ta)

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -2.50 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 115 mΩ

极性 - - P-Channel

漏源击穿电压 - - 30 V

连续漏极电流(Ids) - - 2.50 A

上升时间 - - 10 ns

额定功率(Max) - - 1 W

下降时间 - - 10 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.6 mm

高度 - - 0.85 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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