BD14016S和BD1406S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD14016S BD1406S 2N4920G

描述 PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor EpitaxialON SEMICONDUCTOR  2N4920G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 3 MHz, 30 W, 1 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

引脚数 3 - 3

耗散功率 1.25 W 12.5 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 30 @500mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 250 250 150

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 30 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

频率 - - 3 MHz

额定电压(DC) -80.0 V - -80.0 V

额定电流 -1.50 A - -3.00 A

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

极性 PNP - PNP, P-Channel

热阻 - - 4.16℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 1.5A - 3A

直流电流增益(hFE) 40 - 10

耗散功率(Max) 1250 mW - 30000 mW

长度 8 mm 8 mm 7.74 mm

宽度 3.25 mm 3.25 mm 2.66 mm

高度 11.2 mm 11 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Bulk - Bulk

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