对比图
型号 IPB60R099CPATMA1 STB34NM60ND SIHB30N60E-GE3
描述 INFINEON IPB60R099CPATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB34NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 中高压MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.09 Ω 0.097 Ω 0.104 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 255 W 190 W 250 W
阈值电压 3 V 4 V 2 V
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 29A -
上升时间 5 ns 53.4 ns -
输入电容(Ciss) 2800pF @100V(Vds) 2785pF @50V(Vds) 2600pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 190 W -
下降时间 5 ns 61.8 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 255 W 190W (Tc) 250 W
额定电压(DC) 25.0 V - -
额定电流 50.0 A - -
额定功率 255 W - -
输入电容 2.80 nF - -
栅电荷 80.0 nC - -
长度 10.31 mm 10.75 mm 10.67 mm
宽度 9.45 mm 10.4 mm 9.65 mm
高度 4.57 mm 4.6 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -