对比图
型号 STW55NM60ND FCH47N60F_F133 STW34NM60ND
描述 STMICROELECTRONICS STW55NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 51 A, 600 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH47N60F_F133 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.062 ohm, 10 V, 3 VN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.047 Ω 0.062 Ω 0.097 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 350 W 417 W 190 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 68 ns 210 ns 53.4 ns
输入电容(Ciss) 5800pF @50V(Vds) 8000pF @25V(Vds) 2785pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 350 W 417 W 210 W
下降时间 96 ns 75 ns 61.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350W (Tc) 417W (Tc) 190W (Tc)
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 600 V
连续漏极电流(Ids) - 47A 29A
长度 15.75 mm 15.6 mm 15.75 mm
宽度 5.15 mm 4.7 mm 5.15 mm
高度 20.15 mm 20.6 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 - - NLR