对比图
型号 FCB11N60TM STB11NM60T4 FCB11N60
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB11N60TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 VN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.32 Ω 0.4 Ω 320 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 160 W 125 W
阈值电压 5 V 4 V 5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A 11A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 11.0 A 11.0 A -
输入电容 - 1000 pF -
漏源击穿电压 600 V 600 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
上升时间 98 ns 20 ns -
正向电压(Max) - 1.5 V -
输入电容(Ciss) 1490pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 125 W 160 W -
下降时间 56 ns 11 ns -
耗散功率(Max) 125W (Tc) 160W (Tc) -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 9.65 mm 10.4 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 -