对比图
型号 FDB13AN06A0 STB60NF06T4 NTB75N06G
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET60V,75A,N沟道MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 30.0 V
额定电流 62.0 A 60.0 A 75.0 A
漏源极电阻 0.0135 Ω 15.0 mΩ 9.50 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 115 W 110 W 2.4 W
输入电容 1.35 nF - 4.51 nF
栅电荷 22.0 nC - 130 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 62.0 A 60.0 A 75.0 A
上升时间 96.0 ns 108 ns 112 ns
输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 4510pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 115 W 110 W 2.4 W
下降时间 - 20 ns 100 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 115W (Tc) 110W (Tc) 2.4 W
阈值电压 4 V - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm - -
宽度 11.33 mm - -
高度 4.83 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99