对比图
型号 STB13NM60N STB95N3LLH6 FCB11N60TM
描述 N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronicsN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB11N60TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.28 Ω 0.0037 Ω 0.32 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 90 W 70 W 125 W
阈值电压 3 V 1 V 5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 30 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 11A 80A 11.0 A
上升时间 8 ns 91 ns 98 ns
输入电容(Ciss) 790pF @50V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 1490pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 90 W - 125 W
下降时间 10 ns 23.4 ns 56 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 70W (Tc) 125W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 11.0 A
漏源击穿电压 - - 600 V
长度 10.75 mm 10.75 mm 10.67 mm
宽度 10.4 mm 10.4 mm 9.65 mm
高度 4.6 mm 4.6 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99