对比图
型号 SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3
描述 P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY SI2323DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.031 ohm, -4.5 V, -1 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount -
引脚数 3 3
封装 SOT-23 SOT-23-3
漏源极电阻 0.032 Ω 0.031 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 1.7 W 750 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.7 W 1250 mW
针脚数 - 3
漏源极电压(Vds) - -20.0 V
连续漏极电流(Ids) - -4.70 A
上升时间 - 43 ns
输入电容(Ciss) - 1020pF @10V(Vds)
下降时间 - 48 ns
长度 3.04 mm 2.9 mm
宽度 1.4 mm 1.6 mm
高度 1.02 mm 1.02 mm
封装 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 - No SVHC