SPA04N80C3和IRF634B_FP001

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPA04N80C3 IRF634B_FP001 SPP04N80C3

描述 INFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3Pin(3+Tab) TO-220 TubeInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 1.1 Ω 450 mΩ 1.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 38 W 74 W 63 W

漏源极电压(Vds) 800 V 250 V 800 V

漏源击穿电压 - 250 V 800 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 8.10 A 4.00 A

上升时间 15 ns 75 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 570pF @100V(Vds) 1000pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)

下降时间 12 ns 65 ns 12 ns

耗散功率(Max) 38W (Tc) 74W (Tc) 63W (Tc)

额定电压(DC) 800 V - 800 V

额定电流 4.00 A - 4.00 A

额定功率 38 W - 63 W

通道数 - - 1

针脚数 3 - 3

阈值电压 3 V - 3 V

额定功率(Max) 38 W - 63 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.65 mm - 10 mm

宽度 4.85 mm - 4.4 mm

高度 16.15 mm - 15.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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