FQP46N15和STP80NF10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQP46N15 STP80NF10 PSMN035-150P@127

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP46N15  晶体管, MOSFET, N沟道, 45.6 A, 150 V, 33 mohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsPSMN035-150P@127

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定电压(DC) 150 V 100 V -

额定电流 45.6 A 80.0 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 33 mΩ 0.012 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 210 W 300 W -

阈值电压 4 V 3 V -

输入电容 2.50 nF 5500 pF -

栅电荷 85.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 150 V 100 V -

漏源击穿电压 150 V 100 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 45.6 A 80.0 A -

上升时间 320 ns 80 ns -

输入电容(Ciss) 3250pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 210 W 300 W -

下降时间 200 ns 60 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 210W (Tc) 300W (Tc) -

额定功率 - 300 W -

通道数 - 1 -

长度 10.1 mm 10.4 mm -

宽度 4.7 mm 4.6 mm -

高度 9.4 mm 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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