LM5113SDX/NOPB和LM5113SD/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM5113SDX/NOPB LM5113SD/NOPB LM5113TME/NOPB

描述 LM5113 5A , 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的 LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETsTEXAS INSTRUMENTS  LM5113SD/NOPB  MOSFET驱动器, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, WSON-10 新TEXAS INSTRUMENTS  LM5113TME/NOPB  半桥驱动器, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, 26.5ns延迟, DSBGA-12

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 10 10 12

封装 WSON-10 WSON-10 WFBGA-12

上升/下降时间 7ns, 1.5ns 7ns, 1.5ns 7ns, 1.5ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 5 A 5 A -

上升时间 4 ns 4 ns 4 ns

下降时间 4 ns 4 ns 4 ns

下降时间(Max) 4 ns 4 ns 4 ns

上升时间(Max) 4 ns 4 ns 4 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) - 4.50V (min) 4.50V (min)

针脚数 - 10 12

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V

封装 WSON-10 WSON-10 WFBGA-12

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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