对比图
型号 VNB35NV04 VNB35NV0413TR VNB35NV04-E
描述 “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETMOSFET POWER 40V 30A D2PAK电源负载分配开关, 低压侧, 40 V输入, 30 A, 0.013 ohm, 1输出, TO-263-3
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 模拟开关芯片开关电源FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 40.0 V - -
额定电流 30.0 A - -
输出接口数 1 1 1
输出电流 30 A - 60 A
供电电流 0.1 mA - 0.1 mA
漏源极电阻 10.0 mΩ 10.0 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 125 W 125 W 125 W
漏源击穿电压 70.0 V 70.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 35.0 A -
输出电流(Max) 30 A 30 A 30 A
输出电流(Min) 30 A - 30 A
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ - -40 ℃
耗散功率(Max) 125000 mW - 125000 mW
针脚数 - - 3
输入数 - - 1
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99