对比图
型号 FQA24N60 FQA27N25 STP5NK50Z
描述 ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETN沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH?MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-220-3
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.24 Ω 110 mΩ 1.22 Ω
耗散功率 310 W 210 W 70 W
阈值电压 5 V - 3.75 V
漏源极电压(Vds) 600 V 250 V 500 V
上升时间 270 ns 270 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 2450pF @25V(Vds) 535pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 210 W 70 W
下降时间 170 ns 120 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 310 W 210W (Tc) 70W (Tc)
额定电压(DC) - 250 V 500 V
额定电流 - 27.0 A 4.40 A
极性 - N-Channel N-Channel
漏源击穿电压 - 250 V 500 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) - 27.0 A 4.40 A
额定功率 - - 70 W
长度 15.8 mm - -
宽度 5 mm - -
高度 18.9 mm - -
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-220-3
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99