对比图
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS STD7NS20T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 200 V 200 V
额定电流 9.40 A 7.00 A
漏源极电阻 0.38 Ω 0.35 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 86 W 45 W
产品系列 IRFR9N20D -
输入电容 560pF @25V -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 9.40 A 7.00 A
上升时间 16.0 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 560pF @25V(Vds) 540pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 86 W 45 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃
通道数 - 1
针脚数 - 3
阈值电压 - 3 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
下降时间 - 12 ns
耗散功率(Max) - 45W (Tc)
长度 6.73 mm 6.6 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
宽度 - 6.2 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99