FDS5680和FDS5690_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS5680 FDS5690_NL STS7NF60L

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS5680  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 2.5 VN-Channel PowerTrench MOSFETSTMICROELECTRONICS  STS7NF60L  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 8.00 A - 7.50 A

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.02 Ω - 0.017 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2.5 W - 2.5 W

阈值电压 2.5 V - 1 V

输入电容 1.85 nF - 1.70 nF

栅电荷 30.0 nC - 25.0 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V - 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 7A 7.50 A

上升时间 8 ns - 27 ns

输入电容(Ciss) 1850pF @15V(Vds) - 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W - 2.5 W

下降时间 32 ns - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Tc)

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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